Tunnel magnetoresistência: como funciona?

O que é a Tunnel Magnetoresistência (TMR)?

A Tunnel Magnetoresistência (TMR) é um fenômeno que ocorre em dispositivos eletrônicos quando uma corrente elétrica flui através de uma camada isolante extremamente fina e é amplificada por um campo magnético. A TMR é utilizada em dispositivos de armazenamento de dados, como discos rígidos e memórias RAM. A TMR é um fenômeno relativamente recente, descoberto em 1975 por Albert Fert e Peter Grünberg.

Como funciona a TMR?

A TMR utiliza uma camada fina de material entre duas camadas de metal. Quando uma corrente elétrica flui através dessas camadas, elétrons passam pelos átomos do material fina e são refletidos de volta pelos átomos do metal. Quando um campo magnético é aplicado, os elétrons que passam pela camada fina têm sua trajetória alterada e são refletidos de modo diferente. Isso faz com que a resistência do dispositivo mude, e essa mudança pode ser detectada como uma alteração na corrente elétrica. A TMR é muito sensível a campos magnéticos e pode detectar fluxos muito pequenos.

Exemplo de aplicação da TMR

A TMR é utilizada em dispositivos de armazenamento de dados, como discos rígidos e memórias RAM. Nos discos rígidos, a TMR é utilizada para detectar a posição do cabeçote de leitura, que é usado para ler os dados armazenados em um disco magnético. Na memória RAM, a TMR é utilizada para detectar a carga elétrica armazenada em um capacitor. A TMR é também utilizada em sensores magnéticos, como os utilizados em detectores de metais.

Vantagens e desvantagens da TMR

A TMR oferece várias vantagens em relação a outros métodos de detecção de campos magnéticos. A TMR é muito sensível, e pode detectar fluxos magnéticos muito pequenos. Além disso, a TMR é muito estável, e os dispositivos que utilizam a TMR têm uma vida útil longa. No entanto, a TMR é relativamente cara em comparação com outros métodos de detecção de campos magnéticos, e não pode ser utilizada em dispositivos que exigem alta velocidade de processamento. A TMR é também muito sensível a campos magnéticos externos, o que pode afetar seu desempenho em certas aplicações.